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STM32F427VGT6中文手册|现货|ST意法半导体

STM32F427VGT6中文手册|现货|ST意法半导体

官方规格书下载: 规格书下载: https://www.st.com/resource/en/datasheet/STM32F427VG.pdf 大致描述: STM32F427xx和STM32F429xx器件基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位RISC核心,工作频率高达180 MHz。Cortex-M4核心具有浮点单精度单元(FPU),支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型

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官方规格书下载:

规格书下载: https://www.st.com/resource/en/datasheet/STM32F427VG.pdf

大致描述:

STM32F427xx和STM32F429xx器件基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位RISC核心,工作频率高达180 MHz。Cortex-M4核心具有浮点单精度单元(FPU),支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元(MPU),增强应用程序安全性。

STM32F427xx和STM32F429xx器件集成了高速嵌入式存储器(Flash存储器高达2兆字节,高达256千字节的SRAM),最多4千字节的备份SRAM,以及连接到两个APB总线、两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的广泛的增强I/O和外设。

所有器件提供三个12位ADC,两个DAC,低功耗RTC,十二个通用16位定时器,包括两个用于电机控制的PWM定时器,两个通用32位定时器。它们还具有标准和高级通信接口。

功能特性:

核心:Arm® 32位Cortex®-M4 CPU与FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),允许从Flash存储器执行零等待状态,频率高达180 MHz,MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令

存储器:高达2 MB的Flash存储器分为两个块,支持读写同时进行;高达256+4 KB的SRAM,包括64 KB的CCM(核心耦合存储器)数据RAM;具有高达32位数据总线的灵活外部存储器控制器:SRAM,PSRAM,SDRAM/LPSDR SDRAM,Compact Flash/NOR/NAND存储器

LCD并行接口,8080/6800模式

LCD-TFT控制器,分辨率完全可编程(总宽度高达4096像素,总高度高达2048行,像素时钟高达83 MHz)

Chrom-ART Accelerator™用于增强图形内容创建(DMA2D)

时钟、复位和供电管理1.7 V至3.6 V的应用供电和I/OsPOR、PDR、PVD和BOR4至26 MHz的晶体振荡器内部16 MHz出厂校准RC(1%准确度)32 kHz振荡器用于RTC,具有校准内部32 kHz RC带有校准睡眠、停止和待机模式VBAT供应用于RTC,20×32位备份寄存器+可选4 KB备份SRAM

低功耗睡眠、停止和待机模式VBAT供应用于RTC,20×32位备份寄存器+可选4 KB备份SRAM

3×12位,2.4 MSPS ADC:最多24个通道,在三重交叉模式下最多7.2 MSPS

2×12位D/A转换器

通用DMA:带有FIFO和突发支持的16流DMA控制器

最多17个定时器:最多12个16位和两个32位定时器,最高频率达180 MHz,每个具有最多4个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入

调试模式SWD和JTAG接口Cortex-M4 Trace Macrocell™

最多168个具有中断功能的I/O端口最多164个高速I/O,最高90 MHz最多166个5 V容忍I/O

最多21个通信接口最多3×I2C接口(SMBus/PMBus)最多4个USARTs/4个UARTs(11.25 Mbit/s,ISO7816接口,LIN,IrDA,调制解调器控制)最多6个SPIs(45 Mbit/s),其中2个具有多路复用的全双工I2S,通过内部音频PLL或外部时钟实现音频类准确度1 × SAI(串行音频接口)2 × CAN(2.0B Active)和SDIO接口

高级连通性USB 2.0全速设备/主机/OTG控制器,具有内置PHYUSB 2.0高速/全速设备/主机/OTG控制器,具有专用DMA,内置全速PHY和ULPI10/100以太网MAC,带有专用DMA:支持IEEE 1588v2硬件,MII/RMII

8至14位并行摄像头接口,最高54 Mbytes/s

真随机数生成器

CRC计算单元

RTC:亚秒精度,硬件日历

96位唯一ID

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