官方规格书下载:
规格书下载: https://www.st.com/resource/en/datasheet/STM32F411VE.pdf
型号描述：
STM32F411xC/xE设备基于高性能的Arm® Cortex®-M4 32位RISC核心，运行频率高达100 MHz。Cortex®-M4核心具有浮点单精度单位（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了完整的DSP指令和内存保护单元（MPU），增强了应用程序安全性。
STM32F411xC/xE属于STM32 Dynamic Efficiency™产品线（结合功耗效率、性能和集成的产品），同时增加了一项名为批量采集模式（BAM）的创新功能，可在数据批处理期间进一步节省功耗。
STM32F411xC/xE集成了高速嵌入式存储器（最多512 K字节的Flash存储器，128 K字节的SRAM），以及与两个APB总线、两个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵连接的广泛的增强I/O和外设范围。
所有设备提供一个12位ADC，低功耗RTC，六个通用16位定时器（包括一个用于电机控制的PWM定时器），两个通用32位定时器。它们还具有标准和高级通信接口。
STM32F411xC/xE在-40到+125°C的温度范围内工作，供电电压为1.7（PDR OFF）到3.6 V。全面的省电模式允许设计低功耗应用程序。
这些特性使得STM32F411xC/xE微控制器适用于各种应用。
功能特性：
Dynamic Efficiency Line with BAM（Batch Acquisition Mode）1.7 V至3.6 V供电-40°C至85/105/125°C温度范围
核心：Arm® 32位Cortex®-M4 CPU，带有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从Flash存储器执行0等待状态，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令
存储器最多512 K字节的Flash存储器128 K字节的SRAM
时钟、复位和供电管理1.7 V至3.6 V应用供电和I/Os POR、PDR、PVD和BOR4至26 MHz晶体振荡器内部16 MHz出厂校准RC32 kHz振荡器用于RTC，带有校准内部32 kHz RC振荡器，带有校准
功耗运行：100 μA/MHz（外设关闭）停止（Flash处于停止模式，快速唤醒时间）：42 μA Typ @ 25°C；65 μA max @25°C停止（Flash处于深度省电模式，慢唤醒时间）：最低可达9 μA @ 25°C；最大28 μA @25°C待机：1.8 μA @25°C / 1.7 V，无RTC；11 μA @85°C @1.7 VVBAT供电用于RTC：1 μA @25°C
1×12位，2.4 MSPS A/D转换器：最多16个通道
通用DMA：16个流DMA控制器，带有FIFO和突发支持
最多11个定时器：最多六个16位，两个32位定时器，最高100 MHz，每个具有最多四个IC/OC/PWM或脉冲计数器和象限（增量）编码器输入，两个看门狗定时器（独立和窗口）和SysTick定时器
调试模式串行线调试（SWD）和JTAG接口Cortex®-M4嵌入式跟踪宏单元™
最多81个带有中断功能的I/O端口最多78个高速I/O，最高100 MHz最多77个5 V容忍的I/O
最多13个通信接口最多3个I2C接口（SMBus/PMBus）最多3个USARTs（2×12.5 Mbit/s，1×6.25 Mbit/s），ISO 7816接口，LIN，IrDA，调制解调器控制最多5个SPI/I2S（最高50 Mbit/s，SPI或I2S音频协议），SPI2和SPI3通过混合全双工I2S实现音频类准确性，通过内部音频PLL或外部时钟SDIO接口（SD/MMC/eMMC）高级连接：USB 2.0全速设备/主机/OTG控制器，带有片上PHY
CRC计算单元
96位唯一ID
RTC：亚秒精度，硬件日历
所有封装（WLCSP49、LQFP64/100、UFQFPN48、UFBGA100）均为ECOPACK®2
