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STM32F410RBT6 datasheet|中文手册|ST代理

STM32F410RBT6 datasheet|中文手册|ST代理

官方规格书下载: 规格书下载: https://www.st.com/resource/en/datasheet/STM32F410RB.pdf 型号描述: STM32F410x8/B器件基于高性能ARM® Cortex®-M4 32位RISC核心,工作频率高达100MHz。它们的Cortex®-M4核心具有浮点单精度单元(FPU),支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型

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技术手册

官方规格书下载:

规格书下载: https://www.st.com/resource/en/datasheet/STM32F410RB.pdf

型号描述:

STM32F410x8/B器件基于高性能ARM® Cortex®-M4 32位RISC核心,工作频率高达100MHz。它们的Cortex®-M4核心具有浮点单精度单元(FPU),支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和内存保护单元(MPU),增强应用程序安全性。

STM32F410x8/B属于STM32 Dynamic Efficiency™产品线(结合功耗效率、性能和集成的产品),同时增加了一项名为Batch Acquisition Mode(BAM)的新创新功能,可在数据批处理期间进一步节省功耗。

STM32F410x8/B集成了高速嵌入式存储器(最多128KB的Flash存储器,32KB的SRAM),以及连接到两个APB总线、一个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的广泛的增强I/O和外设。

功能特性:

Dynamic Efficiency Line with BAM(Batch Acquisition Mode)

核心:ARM®32位Cortex®-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),允许从Flash存储器执行零等待状态,频率高达100MHz,内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令

存储器最多128KB的Flash存储器,512字节的OTP存储器,32KB的SRAM

时钟、复位和电源管理1.7V至3.6V应用供电和I/Os POR、PDR、PVD和BOR 4至26MHz晶体振荡器内部16MHz出厂修调RC32kHz用于RTC的振荡器,带校准内部32kHz带校准RC

功耗运行:89μA/MHz(外设关闭)停止(Flash处于停止模式,快速唤醒时间):40μA(25℃下);49μA(25℃下)最大停止(Flash处于深度省电模式,快速唤醒时间):至6μA(25℃下);14μA(25℃下)最大待机:2.4μA(25℃下)/ 1.7V,不带RTC;12μA(85℃下)/ 1.7V VBAT供电用于RTC:1μA(25℃下)

1×12位、2.4MSPS ADC:最多16个通道

1×12位D/A转换器

通用DMA:16个流DMA控制器,带FIFO和突发支持

最多9个定时器一个16位高级电机控制定时器一个低功耗定时器(在停止模式下可用)三个16位通用定时器一个32位定时器,最高100MHz,最多四个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入两个看门狗定时器(独立窗口)SysTick定时器。

调试模式串行线调试(SWD)和JTAG接口Cortex®-M4嵌入式跟踪宏单元™

最多50个带中断功能的I/O端口最多45个高速I/O,最高100MHz最多49个5V容忍I/O

最多9个通信接口最多3个I2C接口(SMBus/PMBus),包括1个1MHz的I2C快速模式最多3个USARTs(2×12.5Mbit/s,1×6.25Mbit/s),ISO 7816接口,LIN,IrDA,调制解调器控制)最多3个SPI/I2Ss(最高50Mbit/s的SPI或I2S音频协议)

真随机数发生器

CRC计算单元

96位唯一ID

RTC:亚秒精度,硬件日历

所有封装都是ECOPACK®2

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