官方规格书下载:
规格书下载: https://www.st.com/resource/en/datasheet/STM32L431KB.pdf
型号描述:
STM32L431xx器件是基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器，工作频率可高达80 MHz。Cortex-M4核心具有浮点单精度单元（FPU），支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和内存保护单元（MPU），增强应用程序安全性。
STM32L431xx器件嵌入了高速存储器（Flash存储器高达256 K字节，64 K字节的SRAM），四线SPI Flash存储器接口（适用于所有封装），以及连接到两个APB总线、两个AHB总线和32位多AHB总线矩阵的广泛的强化I/O和外设。
STM32L431xx器件嵌入了用于嵌入式Flash存储器和SRAM的多种保护机制：读保护、写保护、专有代码读保护和防火墙。
这些器件提供了快速的12位ADC（5 Msps）、两个比较器、一个运算放大器、两个DAC通道、内部电压参考缓冲器、低功耗RTC、一个通用32位定时器、一个专用于电机控制的16位PWM定时器、四个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。
此外，可用的电容感应通道最多达21个。
它们还具备标准和先进的通信接口。
STM32L431xx在1.71到3.6 V电源范围内，可在-40至+85 °C（+105 °C结温）、-40至+105 °C（+125 °C结温）和-40至+125 °C（+130 °C结温）温度范围内工作。一套全面的省电模式使得设计低功耗应用成为可能。
支持一些独立的电源：用于ADC、DAC、OPAMP和比较器的模拟独立电源输入。VBAT输入用于备份RTC和备份寄存器。
STM32L431xx系列提供了从32到100引脚封装的九种器件。
功能特性:
超低功耗，采用FlexPowerControl，1.71 V至3.6 V电源范围，-40 °C至85/105/125 °C温度范围，VBAT模式下为200 nA：RTC和32x32位备份寄存器的供电，关机模式下为8 nA（5个唤醒引脚），待机模式下为28 nA（5个唤醒引脚），带RTC的待机模式下为280 nA，Stop 2模式下为1.0 μA，带RTC为1.28 μA，运行模式下为84 μA/MHz，批量获取模式（BAM），Stop模式唤醒时间为4 μs，欠压复位（BOR），互联矩阵。
核心：Arm® 32位Cortex®-M4 CPU，带有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从Flash存储器中执行零等待状态，频率高达80 MHz，MPU，100DMIPS和DSP指令。
性能基准：每兆赫1.25 DMIPS（Drystone 2.1），273.55 CoreMark®（80 MHz时3.42 CoreMark/MHz）。
能量基准：176.7 ULPBench®得分。
时钟源：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz晶体振荡器用于RTC（LSE），内部16 MHz出厂修剪RC（±1％），内部低功耗32 kHz RC（±5％），内部多速度100 kHz至48 MHz振荡器，由LSE自动修剪（精度优于±0.25％），内部48 MHz时钟恢复2 PLLs用于系统时钟、音频、ADC。
最多83个快速I/O，大多数支持5 V容忍。
带有硬件日历、警报和校准的RTC。
最多21个电容感应通道：支持触摸键、线性和旋转触摸传感器。
11个定时器：1个16位高级电机控制、1个32位和2个16位通用、2个16位基本、2个低功耗16位定时器（在Stop模式下可用）、2个看门狗、SysTick定时器。
存储器：最多256 KB单块Flash，专有代码读保护，64 KB的SRAM，包括16 KB带硬件奇偶校验的部分，四线SPI存储器接口。
丰富的模拟外设（独立供电）：1个12位ADC 5 Msps，最大16位硬件过采样，每Msps 200 μA，2个12位DAC输出通道，低功耗采样和保持，1个带内置PGA的运算放大器，2个超低功耗比较器。
16个通信接口：1个SAI（串行音频接口），3个I2C FM+（1 Mbit/s），SMBus/PMBus，4个USARTs（ISO 7816、LIN、IrDA、调制解调器），1个LPUART（Stop 2唤醒），3个SPIs（和1个Quad SPI），CAN（2.0B Active）和SDMMC接口，SWPMI单线协议主接口，IRTIM（红外接口）。
14通道DMA控制器。
真C 计算单元，96 位唯一标识
开发支持：串行线调试（SWD），JTAG，嵌入式跟踪宏单元™
所有封装符合 ECOPACK2® 要求
