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STM32F413VGT6 datasheet|中文手册|ST代理

STM32F413VGT6 datasheet|中文手册|ST代理

官方规格书下载: 规格书下载: https://www.st.com/resource/en/datasheet/STM32F413VG.pdf 型号描述: STM32F413xG/H器件基于高性能的Arm® Cortex®-M4 32位RISC核心,工作频率高达100 MHz。它们的Cortex®-M4核心具有支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型的浮点单精度单元(FPU)。此外

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技术手册

官方规格书下载:

规格书下载: https://www.st.com/resource/en/datasheet/STM32F413VG.pdf

型号描述:

STM32F413xG/H器件基于高性能的Arm® Cortex®-M4 32位RISC核心,工作频率高达100 MHz。它们的Cortex®-M4核心具有支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型的浮点单精度单元(FPU)。此外,它还实现了一整套DSP指令和内存保护单元(MPU),以增强应用程序安全性。

STM32F413xG/H器件属于STM32F4系列产品线(产品结合功耗效率、性能和集成性),同时增加了一项名为批量采集模式(BAM)的新创新功能,可在数据批处理期间进一步节省功耗。

STM32F413xG/H器件集成了高速嵌入式存储器(高达1.5兆字节的Flash存储器,320千字节的SRAM),并具有广泛的增强I/O和外设,连接到两个APB总线、三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

所有器件提供12位ADC、两个12位DAC、低功耗RTC、十二个通用16位定时器(包括两个用于电机控制的PWM定时器)、两个通用32位定时器和一个低功耗定时器。

它们还具有标准和先进的通信接口。

功能特性:

动态效率线与eBAM(增强批量采集模式)1.7 V至3.6 V电源供应-40°C至85/105/125°C温度范围

核心:Arm® 32位Cortex®-M4 CPU,带有FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),允许从Flash存储器执行0等待状态,频率高达100 MHz,内存保护单元,125 DMIPS / 1.25 DMIPS / MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令

存储器高达1.5兆字节的Flash存储器320千字节的SRAM灵活的外部静态存储器控制器,最大16位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR Flash存储器双模Quad-SPI接口

LCD并行接口,8080/6800模式

时钟、复位和电源管理1.7至3.6 V应用供电和I/Os POR、PDR、PVD和BOR4至26 MHz晶体振荡器内部16 MHz出厂校准RC32 kHz振荡器,用于RTC校准内部32 kHz RC,带有校准

功耗运行:112 μA/MHz(外围关闭)停止(Flash在停机模式下,快速唤醒时间):42 μA Typ.;80 μA max @25 °C停止(Flash在深度掉电模式下,慢唤醒时间):15 μA Typ.;46 μA max @25 °C待机无RTC:1.1 μA Typ.;14.7 μA max @85 °CVBAT供电RTC:1 μA @25 °C

2x12位D/A转换器

1×12位、2.4 MSPS ADC:最多16通道

6个σ-Δ调制器数字滤波器,12个PDM接口,带有立体声麦克风和声源定位支持

通用DMA:16流DMA

最多18个定时器:最多十二个16位定时器,两个32位定时器,每个最高可达100 MHz,每个最多可有四个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入,两个看门狗定时器(独立和窗口),一个SysTick定时器和一个低功耗定时器

调试模式串行线调试(SWD)和JTAG Cortex®-M4嵌入式跟踪宏单元™

最多114个具有中断能力的I/O端口最多109个高速I/O,最高100 MHz最多114个五伏容忍I/O

最多24个通信接口最多4个I2C接口(SMBus/PMBus)最多10个UARTS:4个USARTs / 6个UARTs(2 x 12.5 Mbit/s,2 x 6.25 Mbit/s),ISO 7816接口,LIN,IrDA,调制解调器控制)最多5个SPI/I2S(最高50 Mbit/s,SPI或I2S音频协议),其中2个多路复用的全双工I2S接口SDIO接口(SD/MMC/eMMC)高级连接:USB 2.0全速设备/主机/OTG控制器与PHY3x CAN(2.0B Active)1xSAI

真随机数发生器

CRC计算单元

96位唯一ID

RTC:亚秒精度,硬件日历

所有封装均为ECOPACK®2

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